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型号: SUD40N10
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内容描述: N沟道100伏(D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 605 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD40N10-25
N沟道
100 V( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
25 ℃,除非另有说明
3.0
V
GS
= 10
V
I
D
= 40 A
I
S
- 源电流( A)
100
2.5
R
DS ( ON)
- 导通电阻
2.0
(归一化)
T
J
= 175 °C
10
1.5
1.0
T
J
= 25 °C
0.5
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
T
J
- 结温( ° C)
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
100
有限
by
R
DS ( ON)
*
10
µs
100
µs
I
D
- 漏电流( A)
10
1毫秒
热额定值
50
40
I
D
- 漏电流( A)
30
20
10毫秒
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
1秒,直流
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度( ° C)
0.1
0.1
最大雪崩漏电流
与外壳温度
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
10
1000
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
R
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间( S)
1
10
30
归瞬态热阻抗,结至外壳
4/7
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