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SUD40N08-16 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD40N08-16
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内容描述: N沟道80 V(D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 429 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD40N08-16
N沟道
80 V( D- S) 175℃ MOSFET
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
b
I
DSS
I
D(上)
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
r
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A,T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A,T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V,I
D
= 40 A
45
60
0.013
0.016
0.027
0.037
S
W
80
2.0
4.0
"100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 40 V ,R
L
= 1.0
W
I
D
^
40 A,V
= 10 V ,R
g
= 2.5
W
0.5
12
52
25
10
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1960
370
200
42
7
13
2.7
20
80
38
15
ns
W
60
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 40 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A, di / dt的= 100 A / MS
1.0
45
60
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
2/5
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