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SUD30N03-30 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD30N03-30
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内容描述: N沟道30 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 360 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD30N03-30
N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
40
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
32
I
D
- 漏极电流( A)
I
D
- 漏极电流( A)
32
40
传输特性
24
4V
16
24
16
8
3V
0
0
1
2
3
4
5
8
T
C
= 150_C
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
30
T
C
= –55_C
24
g
fs
- 跨导(S )
25_C
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
)
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
8
16
24
32
40
0
0.07
导通电阻与漏电流
18
125_C
V
GS
= 4.5 V
12
V
GS
= 10 V
6
0
8
16
24
32
40
I
D
- 漏极电流( A)
I
D
- 漏极电流( A)
电容
1500
C
国际空间站
1200
Ç - 电容(pF )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
8
10
栅极电荷
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
900
C
OSS
600
6
4
300
C
RSS
2
0
0
6
12
18
24
30
0
0
3
6
9
12
15
18
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
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