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SUD15N06-90 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD15N06-90
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内容描述: N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 538 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD15N06-90L
N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我ç
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D(上)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A
漏源极S上
ð I S
O状态电阻
b
漏源导通状态R I
V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A,T
J
= 125_C
r
DS ( )
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A,T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 5 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V,I
D
= 10 A
0.065
11
15
0.050
0.065
0.12
0.15
0.090
S
W
60
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
V
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 30 V ,R
L
= 2
W
V,
I
D
^
15 A,V
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V,
V
DS
= 30 V V
GS
= 10 V I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
524
98
28
12
2
3.5
7
8
15
7
20
25
ns
40
20
20
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 15 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 15 A, di / dt的= 100 A / MS
0.9
29
30
1.2
60
A
V
ns
注意事项:
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
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