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    SQR50N03-06P 参数 Datasheet PDF下载

    SQR50N03-06P图片预览
    型号： SQR50N03-06P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 691 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQR50N03-06P的Datasheet PDF文件第8页  
    SQR50N03-06P
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    160
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    120
    120
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    0
    3
    6
    9
    12
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    15
    0
    T
    C
    = 125
    °C
    2
    T
    C
    = - 55
    °C
    4
    6
    8
    10
    T
    C
    = 25
    °C
    140
    V
    GS
    = 4 V
    80
    40
    V
    GS
    = 3 V
    0
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    输出特性
    传输特性
    1.5
    120
    T
    C
    = 25
    °C
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    T
    C
    = - 55
    °C
    1.2
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    80
    0.9
    T
    C
    = 25
    °C
    60
    T
    C
    = 125
    °C
    40
    0.6
    0.3
    T
    C
    = 125
    °C
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    T
    C
    = - 55
    °C
    20
    0
    0
    10
    20
    30
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    40
    50
    传输特性
    跨
    0.025
    5000
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.020
    4000
    0.015
    Ç - 电容（pF ）
    C
    国际空间站
    3000
    0.010
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.005
    V
    GS
    = 10 V
    0.000
    0
    20
    40
    60
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    80
    100
    2000
    1000
    C
    RSS
    0
    0
    5
    C
    OSS
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    30
    导通电阻与漏电流
    电容
    3/8
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