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    SQD90P04-9M4L 参数 Datasheet PDF下载

    SQD90P04-9M4L图片预览
    型号： SQD90P04-9M4L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车P沟道40 V （D -S ） 175 ℃的MOSFET [Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 616 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD90P04-9M4L的Datasheet PDF文件第7页  
    SQD90P04-9m4L
    汽车P沟道
    40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    100
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    80
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    80
    60
    V
    GS
    = 4 V
    60
    40
    40
    T
    C
    = 25 °C
    20
    T
    C
    = 125 °C
    0
    T
    C
    = - 55 °C
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    20
    V
    GS
    = 3 V
    V
    GS
    = 2 V, 1 V
    0
    0
    3
    6
    9
    12
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    15
    输出特性
    100
    0.05
    传输特性
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    80
    T
    C
    = - 55 °C
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    T
    C
    = 25 °C
    60
    0.04
    0.03
    40
    T
    C
    = 125 °C
    20
    0.02
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.01
    V
    GS
    = 10 V
    0
    0
    16
    32
    48
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    64
    80
    0.00
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    跨
    8000
    7000
    6000
    Ç - 电容（pF ）
    10
    导通电阻与漏电流
    C
    国际空间站
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    I
    D
    = 50 A
    V
    DS
    = 20 V
    5000
    4000
    3000
    2000
    1000
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    35
    40
    6
    4
    C
    OSS
    C
    RSS
    2
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    电容
    栅极电荷
    3/7
    www.freescale.net.cn

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