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    SQD50P06-15L 参数 Datasheet PDF下载

    SQD50P06-15L图片预览
    型号： SQD50P06-15L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车P沟道60 V （D -S ） 175 ℃的MOSFET [Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 706 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD50P06-15L的Datasheet PDF文件第8页  
    SQD50P06-15L
    汽车P沟道
    60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    80
    70
    60
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    3V
    V
    GS
    = 10 V直通4 V
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0.0
    T
    C
    = 125 ° C
    25 ° C
    - 55 °C
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    输出特性
    100
    T
    C
    = - 55 °C
    80
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    25 °C
    125 °C
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    传输特性
    0.05
    0.04
    60
    0.03
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.02
    40
    20
    0.01
    V
    GS
    = 10 V
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    0
    0
    16
    32
    48
    64
    80
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    跨
    10
    6000
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    导通电阻与漏电流
    I
    D
    = 14.4 A
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    5000
    Ç - 电容（pF ）
    C
    国际空间站
    8
    V
    DS
    = 30 V
    4000
    3000
    2000
    C
    OSS
    1000
    C
    RSS
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    6
    4
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    80
    90
    100
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    电容
    栅极电荷
    3/8
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