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    SQD50N06-09L 参数 Datasheet PDF下载

    SQD50N06-09L图片预览
    型号： SQD50N06-09L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道60 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管脉冲
    文件页数/大小： 9 页 / 837 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD50N06-09L的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD50P03-07
    汽车P沟道
    60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    100
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    80
    V
    GS
    = 4 V
    60
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    80
    60
    40
    40
    T
    C
    = 25 °C
    20
    V
    GS
    = 2 V
    0
    0
    4
    8
    V
    GS
    = 3 V
    20
    T
    C
    = 125 °C
    0
    T
    C
    = - 55 °C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    16
    20
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    输出特性
    10
    120
    传输特性
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    8
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    T
    C
    = - 55 °C
    80
    6
    T
    C
    = 25 °C
    60
    T
    C
    = 25 °C
    4
    40
    T
    C
    = 125 °C
    20
    2
    T
    C
    = 125 °C
    0
    0
    1
    2
    3
    T
    C
    = - 55 °C
    4
    5
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    传输特性
    0.025
    4000
    跨
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.020
    3000
    Ç - 电容（pF ）
    C
    国际空间站
    0.015
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.010
    V
    GS
    = 10 V
    0.005
    2000
    1000
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    0
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    导通电阻与漏电流
    电容
    3/9
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