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SQD50N06-07L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQD50N06-07L
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内容描述: 汽车N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 800 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQD50N06-07L
汽车N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
10
2.3
I
D
= 20 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
8
I
D
= 50 A
V
DS
= 30 V
R
DS ( ON)
- 导通电阻
(归一化)
2.0
1.7
6
V
GS
= 10 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
4
1.1
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
- 总
费( NC )
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
100
0.05
导通电阻与结温
10
T
J
= 150
°C
1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
I
S
-
来源
电流(A )
0.04
0.03
0.1
T
J
= 25
°C
0.02
T
J
= 150
°C
0.01
T
J
= 25
°C
0.01
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
源漏二极管正向电压
0.5
80
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0.1
V
GS ( TH)
方差( V)
76
I
D
= 10毫安
- 0.3
I
D
= 250 μA
I
D
= 5毫安
72
- 0.7
68
- 1.1
64
- 1.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
60
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度(℃ )
T
J
- 结温( ° C)
阈值电压
漏源击穿与结温
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