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    SQD50N04-3M5L 参数 Datasheet PDF下载

    SQD50N04-3M5L图片预览
    型号： SQD50N04-3M5L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 761 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD50N04-3M5L的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD50N04-3m5L
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    2.3
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    51
    I
    D
    = 20 A
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    2.0
    V
    GS
    = 10 V
    1.7
    49
    I
    D
    = 10毫安
    47
    1.4
    V
    GS
    = 4.5 V
    45
    1.1
    0.8
    43
    0.5
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    41
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    导通电阻与结温
    100
    漏源击穿与结温
    0.030
    1
    T
    J
    = 150 °C
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    10
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    0.024
    0.018
    0.1
    T
    J
    = 25 °C
    0.012
    T
    J
    = 150 °C
    0.006
    T
    J
    = 25 °C
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    10
    0.01
    0.001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    0.000
    源漏二极管正向电压
    0.7
    导通电阻与栅极至源极电压
    0.2
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    - 0.3
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.8
    I
    D
    = 250 μA
    - 1.3
    - 1.8
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    阈值电压
    4/9
    www.freescale.net.cn

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