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    SQD50N03-09 参数 Datasheet PDF下载

    SQD50N03-09图片预览
    型号： SQD50N03-09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 736 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD50N03-09的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD50N03-09
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    2.1
    I
    D
    = 30 A
    1.8
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    100
    10
    V
    GS
    = 10 V
    T
    J
    = 150 °C
    （归一化）
    1.5
    1
    T
    J
    = 25 °C
    1.2
    0.1
    0.9
    0.01
    0.6
    - 50
    0.001
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    导通电阻与结温
    0.05
    0.5
    源漏二极管正向电压
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.04
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    0.1
    0.03
    - 0.3
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.7
    I
    D
    = 250 μA
    - 1.1
    0.02
    T
    J
    = 150 °C
    0.01
    T
    J
    = 25 °C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    - 1.5
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    导通电阻与栅极至源极电压
    40
    I
    D
    = 10毫安
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    38
    阈值电压
    36
    34
    32
    30
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    漏源击穿与结温
    4/9
    www.freescale.net.cn

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