欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SQD50N02-04L 参数 Datasheet PDF下载

SQD50N02-04L图片预览
型号: SQD50N02-04L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 汽车N沟道20 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲
文件页数/大小: 9 页 / 717 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD50N02-04L的Datasheet PDF文件第9页  
SQD50N02-04L
汽车N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
10
I
D
= 50 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
1.8
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
1.4
(归一化)
8
V
DS
= 10 V
6
R
DS ( ON)
- 导通电阻
1.6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
20
40
60
80
100
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总
费( NC )
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
100
导通电阻与结温
0.05
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
10
I
S
-
来源
电流(A )
0.04
0.03
0.02
0.01
0.01
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0
2
4
6
8
10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
源漏二极管正向电压
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
31
I
D
= 10毫安
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
0.1
V
GS ( TH)
方差( V)
30
29
- 0.3
I
D
= 5毫安
- 0.7
I
D
= 250 μA
- 1.1
28
27
26
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度(℃ )
T
J
- 结温( ° C)
阈值电压
漏源击穿与结温
4/9
www.freescale.net.cn