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    SQD45P03-12 参数 Datasheet PDF下载

    SQD45P03-12图片预览
    型号： SQD45P03-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车P沟道30 V （D -S ） 175 ℃的MOSFET [Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 733 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD45P03-12的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD45P03-12
    汽车P沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    0.10
    10
    I
    D
    = 45 A
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.08
    8
    V
    DS
    = 15
    V
    6
    0.06
    0.04
    4
    0.02
    T
    J
    = 150 °C
    T
    J
    = 25 °C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    2
    0.00
    0
    0
    10
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    20
    30
    40
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    50
    60
    导通电阻与栅极至源极电压
    5000
    栅极电荷
    1.1
    4000
    0.8
    I
    D
    = 250 µA
    C
    国际空间站
    Ç - 电容（pF ）
    3000
    V
    GS （ TH）
    方差
    (V)
    0.5
    I
    D
    = 5毫安
    2000
    C
    OSS
    1000
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    30
    0.2
    - 0.1
    - 0.4
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    电容
    - 30
    阈值电压
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    I
    D
    = 10毫安
    - 32
    - 34
    - 36
    - 38
    - 40
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75 100 125
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    150
    175
    漏源击穿与结温
    4/9
    www.freescale.net.cn

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