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    SQD25N06-22L 参数 Datasheet PDF下载

    SQD25N06-22L图片预览
    型号： SQD25N06-22L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道60 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管脉冲
    文件页数/大小： 9 页 / 801 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD25N06-22L的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD25N06-22L
    汽车N沟道
    60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    100
    0.25
    10
    I
    S
    - 源电流（ A）
    T
    J
    = 150 °C
    0.20
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    1
    T
    J
    = 25 °C
    0.15
    0.1
    0.10
    0.01
    0.05
    T
    J
    = 25 °C
    0
    2
    4
    6
    T
    J
    = 150 °C
    0.001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    0
    8
    10
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    源漏二极管正向电压
    3000
    10
    导通电阻与栅极至源极电压
    I
    D
    = 25 A
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    2500
    Ç - 电容（pF ）
    8
    V
    DS
    = 30
    V
    6
    2000
    C
    国际空间站
    1500
    4
    1000
    C
    OSS
    500
    C
    RSS
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    2
    0
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    电容
    0.6
    栅极电荷
    0.3
    V
    GS （ TH）
    -
    方差
    (V)
    0
    - 0.3
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.6
    I
    D
    = 250 µA
    - 0.9
    - 1.2
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    阈值电压
    4/9
    www.freescale.net.cn

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