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型号: SQ4936EY
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内容描述: 汽车双N沟道30 V ( DS ) 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 970 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ4936EY
汽车双N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
热额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流( A)
100 μs
1毫秒
1
限于由R
DS ( ON)
*
10毫秒
100毫秒
1
s
10
s,
DC
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS ( ON)
is
特定网络版
安全工作区
2
1
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 110 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间( S)
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗,结到环境
5 / 10
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