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    SQ4920EY 参数 Datasheet PDF下载

    SQ4920EY图片预览
    型号： SQ4920EY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车双N沟道30 V （ DS ） 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 944 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ4920EY的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ4920EY
    汽车双N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    40
    V
    GS
    = 10 V直通4 V
    32
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    40
    32
    24
    24
    16
    V
    GS
    = 3 V
    8
    16
    T
    C
    = 25 °C
    8
    T
    C
    = 125 °C
    T
    C
    = - 55 °C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    输出特性
    传输特性
    100
    0.05
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    80
    T
    C
    = - 55 °C
    60
    T
    C
    = 25 °C
    40
    T
    C
    = 125 °C
    20
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.04
    0.03
    0.02
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.01
    V
    GS
    = 10 V
    0
    0
    3
    6
    9
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    12
    15
    0
    0
    8
    16
    24
    32
    40
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    跨
    导通电阻与漏电流
    1500
    C
    国际空间站
    1200
    Ç - 电容（pF ）
    10
    I
    D
    = 6.1 A
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    900
    6
    V
    DS
    = 15 V
    4
    600
    300
    C
    OSS
    2
    0
    0
    C
    RSS
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    30
    0
    5
    10
    15
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    20
    电容
    栅极电荷
    3 / 10
    www.freescale.net.cn

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