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型号: SQ4410EY
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内容描述: 汽车N沟道30 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 879 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ4410EY
汽车N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
10
1.8
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
8
I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V
1.6
1.4
V
GS
= 4.5 V
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
- 总
费( NC )
35
40
0.6
- 50 - 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
栅极电荷
导通电阻与结温
100
0.10
10
I
S
-
来源
电流(A )
0.08
T
J
= 150
°C
1
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.06
0.1
T
J
= 25
°C
0.04
T
J
= 150
°C
0.02
0.01
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
1.2
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
10
源漏二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
0.5
40
I
D
= 1毫安
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0.1
V
GS ( TH)
方差( V)
38
- 0.3
I
D
= 5毫安
I
D
= 250 μA
- 0.7
36
34
- 1.1
32
- 1.5
- 50 - 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度(℃ )
125
150
175
30
- 50 - 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
阈值电压
漏源击穿与结温
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