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    SQ4284EY 参数 Datasheet PDF下载

    SQ4284EY图片预览
    型号： SQ4284EY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车双N沟道40 V （ DS ） 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 850 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ4284EY的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ4284EY
    汽车双N沟道
    40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    30
    V
    GS
    = 10 V直通4 V
    24
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    30
    24
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    18
    18
    12
    12
    T
    C
    = 25
    °C
    6
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    6
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    输出特性
    10
    50
    传输特性
    T
    C
    = - 55
    °C
    8
    40
    6
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    T
    C
    = 25
    °C
    30
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    4
    T
    C
    = 25
    °C
    20
    T
    C
    = 125
    °C
    2
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    10
    传输特性
    0.05
    跨
    2500
    0.04
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    Ç - 电容（pF ）
    2000
    C
    国际空间站
    0.03
    V
    GS
    = 4.5 V
    V
    GS
    = 10 V
    1500
    0.02
    1000
    0.01
    500
    C
    RSS
    C
    OSS
    0.00
    0
    6
    12
    18
    24
    30
    0
    0
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    16
    24
    32
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    40
    导通电阻与漏电流
    电容
    3 / 10
    www.freescale.net.cn

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