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    SQ3460EV 参数 Datasheet PDF下载

    SQ3460EV图片预览
    型号： SQ3460EV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道汽车N沟道 [Automotive N-Channel Automotive N-Channel]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 869 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ3460EV的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ3460EV
    汽车N沟道
    20 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    1.8
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    I
    D
    = 5.1 A
    1.5
    V
    GS
    = 2.5 V
    10
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    100
    T
    J
    = 150
    °C
    1
    1.2
    V
    GS
    = 4.5 V
    T
    J
    = 25
    °C
    0.1
    0.9
    0.01
    0.6
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75 100 125
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    150
    175
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    1.2
    导通电阻与结温
    源漏二极管正向电压
    0.25
    0.3
    0.20
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    0.1
    0.15
    - 0.1
    I
    D
    = 5毫安
    0.10
    T
    J
    = 150
    °C
    - 0.3
    I
    D
    = 250 μA
    0.05
    T
    J
    = 25
    °C
    - 0.5
    0.00
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    - 0.7
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75 100
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    125
    150
    175
    导通电阻与栅极至源极电压
    35
    I
    D
    = 1毫安
    阈值电压
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    33
    31
    29
    27
    25
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75 100 125
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    150
    175
    漏源击穿与结温
    4 / 11
    www.freescale.net.cn

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