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型号: SQ2310ES
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内容描述: 汽车N沟道20 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 815 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ2310ES
汽车N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
5
2.0
I
D
= 5 A
1.7
V
GS
= 2.5 V
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
4
I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V
3
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
- 总
费( NC )
5
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流(A )
T
J
= 150
°C
0.20
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
1
0.15
0.1
T
J
= 25
°C
0.10
T
J
= 150
°C
T
J
= 25
°C
0.01
0.05
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
1.2
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
5
源漏二极管正向电压
0.3
35
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
33
I
D
= 1毫安
0.1
V
GS ( TH)
方差( V)
31
- 0.1
I
D
= 5毫安
29
- 0.3
I
D
= 250 μA
27
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
25
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度(℃ )
T
J
- 结温( ° C)
阈值电压
漏源击穿与结温
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