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MCD413A 参数 Datasheet PDF下载

MCD413A图片预览
型号: MCD413A
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内容描述: P通道40 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [P-Channel 40-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 453 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AOD4 13A / 13A MCD4
典型电气特性
0.25
ID = -5.7A
100
10
I
S
- 源电流( A)
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
T
A
= 125
o
C
25
o
C
RDS ( ON ) ,导通电阻( OHM )
0.2
0.15
0.1
0.05
TA = 25
o
C
0
2
4
6
8
10
-VGS ,门源电压( V)
源极 - 漏极二极管正向电压
图8.导通电阻与栅极至源极电压
50
2
1.9
1.8
V
GS ( TH)
方差( V)
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
-50
-25
0
25
50
o
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
I
D
= -250µA
40
单脉冲
RqJA = 125℃ / W
TA = 25℃
30
20
10
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
t1时,时间(秒)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
图10.单脉冲最大功率耗散
归热瞬态结到环境
1
D =0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
S英格尔P ULS ê
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
RQ J A ( T) = R(T ) + RQ J A
RQ J A = 1 2 5
o
C / W
P( PK)
t1
t2
0.1
TJ - TA = P * RQ J A ( T)
占空比D = T1 / T2
T1 , TIM E( EC)
图11.瞬态热响应曲线
4
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