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MC6415 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MC6415
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内容描述: P通道20 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 419 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO6 41 5 / 41 MC6 5
规格(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
A
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±12 V
范围
单位
最小典型最大
-0.7
±100
o
nA
uA
A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 C
-1
-5
-10
90
130
150
8.0
-0.8
8
1.8
1.9
22
35
45
25
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
= -4.5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -3.3 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -2.9 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= -2.3 A
V
DS
= -10 V,I
D
= -4.9 A
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -4.9 A
V
DD
= -10 V ,R
L
= 6
, I
D
= -1 A,
VGEN = -4.5 V
mΩ
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
飞思卡尔
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