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IRFU5505 参数 Datasheet PDF下载

IRFU5505图片预览
型号: IRFU5505
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 348 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U5505
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-55
–––
–––
-2.0
4.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.049
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
28
20
16
4.5
7.5
650
270
120
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
0.11
V
GS
= -10V ,我
D
= -9.6A
„
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
–––
S
V
DS
= -25V ,我
D
= -9.6A
-25
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
µA
-250
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
-100
V
GS
= 20V
nA
100
V
GS
= -20V
32
I
D
= -9.6A
7.1
NC V
DS
= -44V
15
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
„
–––
V
DD
= -28V
–––
I
D
= -9.6A
ns
–––
R
G
= 2.6Ω
–––
R
D
= 2.8Ω ,参照图10
„
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
与模具接触中心?
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -18
展示
A
G
整体反转
––– ––– -64
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.6
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -9.6A ,V
GS
= 0V
„
––– 51
77
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= -9.6A
––– 110 160
nC
的di / dt = 100A / μs的
„
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 3.2mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= -9.6A 。 (参见图12)
ƒ
I
SD
-9.6A , di / dt的
290A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
…
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
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