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IRFU3709Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFU3709Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 9 页 / 489 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U3709Z
100
不限按包
80
ID ,漏电流( A)
2.5
VGS ( TH)栅极阈值电压( V)
90
2.0
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
1.5
ID = 250μA
1.0
0.5
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
T J ,温度(° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.810
0.000260
0.640
0.451
0.001697
0.021259
τ
1
τ
2
0.01
单脉冲
(热反应)
CI-
τi /日
CI-
τi /日
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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