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    IRFU2307Z 参数 Datasheet PDF下载

    IRFU2307Z图片预览
    型号： IRFU2307Z
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 649 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFU2307Z的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR2307Z
    IRFU2307Z
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 32A
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 32A
    V
    DS
    = 75V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 75V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    nA
    V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = -20V
    I
    D
    = 32A
    nC
    V
    DS
    = 60V
    V
    GS
    = 10V
    V
    DD
    = 38V
    I
    D
    = 32A
    ns
    R
    G
    = 10
    Ω
    V
    GS
    = 10V
    nH
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    EFF 。
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    输出电容
    输出电容
    有效输出电容
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    7.5
    2190
    280
    150
    1070
    190
    400
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    V
    mΩ
    V
    S
    µA
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    政府飞行服务队
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    分钟。典型值。马克斯。单位
    75
    –––
    –––
    2.0
    30
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.072
    12.8
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    50
    14
    19
    16
    65
    44
    29
    4.5
    –––
    –––
    16
    4.0
    –––
    25
    250
    200
    -200
    75
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 100µA
    e
    e
    e
    铅之间，
    6毫米（0.25英寸）。
    从包
    而中心的模具接触
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 25V
    ƒ = 1.0MHz的
    G
    D
    S
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 1.0V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 60V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至60V
    f
    源极 - 漏极额定值和特性
    参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    31
    31
    42
    A
    210
    1.3
    47
    47
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 32A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 32A ，V
    DD
    = 38V
    的di / dt = 100A / μs的
    Ù
    e
    e
    固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
    2 / 11
    www.freescale.net.cn

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