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IRFSL4310 参数 Datasheet PDF下载

IRFSL4310图片预览
型号: IRFSL4310
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内容描述: HEXFET ?功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 740 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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1
IRF/B/S/SL4310
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
1
τ
2
τ
热响应( ZthJC )
0.1
0.01
0.02
0.01
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.1962 0.00117
0.2542
0.016569
0.001
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
(热反应)
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图13 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
100
占空比=单脉冲
雪崩电流( A)
0.01
0.05
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽, TAV ,假设
TJ = 150℃
和T开始= 25°C (单脉冲)
10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽, TAV ,假设
∆Τ
J = 25 ℃,并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
TAV (秒)
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
1000
EAR ,雪崩能量(兆焦耳)
800
顶部
单脉冲
BOTTOM 1 %占空比
ID = 75A
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
175
对重复性雪崩曲线指出,图14 , 15 :
(有关详细信息,请参阅AN -1005在www.irf.com )
1.雪崩失效的假设:
纯粹的热现象而发生故障时,在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的,只要没有牛逼
JMAX
NOR
IAV (最大)超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形, 16b中。
4. P
D( AVE )
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压( 1.3系数占电压升高
在雪崩) 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
∆T
=
允许上升的结温,不超过牛逼
JMAX
(假定为
25℃下在图14中, 15)。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
( D,T
av
) =瞬态热阻,参见图13 )
P
D( AVE )
= 1/2( 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · · ž
th
]
E
AS ( AR )
= P
D( AVE )
·t
av
开始TJ ,结温( ° C)
图15 。
最大雪崩能量比。温度
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