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    IRFR4615PBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR4615PBF图片预览
    型号： IRFR4615PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 852 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFR4615PBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR/U4615PbF
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    R
    G（ INT ）
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    内部栅极电阻
    分钟。典型值。马克斯。单位
    150
    –––
    –––
    3.0
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    条件
    –––
    0.19
    34
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    2.7
    –––
    V V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 5毫安
    42
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 21A
    5.0
    V V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 100µA
    V
    DS
    = 150V, V
    GS
    = 0V
    20
    µA
    250
    V
    DS
    = 150V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 20V
    100
    nA
    V
    GS
    = -20V
    -100
    f
    ™
    –––
    Ω
    动态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    政府飞行服务队
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    Q
    SYNC
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    EFF 。 （ ER）的
    C
    OSS
    EFF 。 （ TR）的
    参数
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    总栅极电荷同步。 （Q
    g
    - Q
    gd
    )
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    有效的输出电容（能源相关）
    有效的输出电容（时间相关）
    分钟。典型值。马克斯。单位
    35
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    26
    8.6
    9.0
    17
    15
    35
    25
    20
    1750
    155
    40
    179
    382
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    S
    条件
    g
    hÃ
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 21A
    I
    D
    = 21A
    V
    DS
    = 75V
    nC
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 21A ，V
    DS
    =0V, V
    GS
    = 10V
    V
    DD
    = 98V
    I
    D
    = 21A
    ns
    R
    G
    = 7.3Ω
    V
    GS
    = 10V
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 50V
    （参见图5）
    pF的ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至120V （参见图11 ）
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至120V
    f
    f
    h
    g
    二极管的特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    t
    on
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    33
    A
    140
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    G
    S
    D
    Ù
    反向恢复电荷
    反向恢复电流
    向前开启时间
    ––– –––
    1.3
    V
    –––
    70
    –––
    ns
    –––
    83
    –––
    ––– 177 –––
    nC
    T
    J
    = 125°C
    ––– 247 –––
    –––
    4.9
    –––
    一件T
    J
    = 25°C
    固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 21A ，V
    GS
    = 0V
    V
    R
    = 100V,
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    I
    F
    = 21A
    的di / dt = 100A / μs的
    T
    J
    = 25°C
    f
    f
    2 / 11
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