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    IRFR3711 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR3711图片预览
    型号： IRFR3711
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 8 页 / 563 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR3711的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFR/U3711
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    民
    20
    –––
    –––
    –––
    1.0
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值
    –––
    0.022
    5.2
    6.7
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    最大单位
    –––
    –––
    6.5
    8.5
    3.0
    140
    20
    100
    200
    -200
    nA
    µA
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 15A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    mΩ
    V
    e
    = 12A
    e
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 20V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = -20V
    I
    GSS
    动态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    g
    fs
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    Q
    OSS
    R
    G
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    输出栅极电荷
    栅极电阻
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    民
    53
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.3
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值
    –––
    29
    7.3
    8.9
    33
    –––
    12
    220
    17
    12
    2980
    1770
    280
    最大单位
    –––
    44
    –––
    –––
    –––
    2.5
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    ns
    Ω
    V
    DD
    = 10V
    I
    D
    = 30A
    R
    G
    = 1.8Ω
    V
    GS
    = 4.5V
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V
    nC
    S
    I
    D
    = 15A
    V
    DS
    = 10V
    条件
    V
    DS
    = 16V ，我
    D
    = 30A
    V
    GS
    = 4.5V
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 10V
    e
    e
    ƒ = 1.0MHz的
    雪崩特性
    符号
    E
    AS
    I
    AR
    参数
    单脉冲雪崩能量
    雪崩电流
    Ù
    d
    民
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值
    –––
    –––
    最大
    460
    30
    单位
    mJ
    A
    二极管的特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    典型值
    –––
    –––
    0.88
    0.82
    50
    61
    48
    65
    最大单位
    110
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 30A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    ≤ 125 ° C，I
    S
    = 30A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 16A ，V
    R
    = 10V
    的di / dt = 100A / μs的
    f
    A
    Ù
    440
    1.3
    –––
    75
    92
    72
    98
    V
    ns
    nC
    ns
    nC
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    e
    e
    e
    e
    T
    J
    ≤ 125 ° C，I
    F
    = 16A ，V
    R
    = 10V
    的di / dt = 100A / μs的
    2 / 10
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