欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRFR3410 参数 Datasheet PDF下载

IRFR3410图片预览
型号: IRFR3410
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 525 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR3410的Datasheet PDF文件第8页  
IRFR/U3410
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,光盘短路
gs
CRSS = C
gd
科斯
=硫化镉+ Cgd的
20
ID = 18A
VGS ,栅 - 源极电压( V)
16
10000
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
C,电容(pF )
西塞
1000
12
科斯
100
8
CRSS
4
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
Q g总栅极电荷( NC)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限制根据RDS ( ON)
100.0
TJ = 175℃
10.0
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
10
100µsec
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
1.0
TJ = 25°C
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ,源toDrain电压( V)
VGS = 0V
0.1
100
1000
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4 / 10
www.freescale.net.cn