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IRFR3303 参数 Datasheet PDF下载

IRFR3303图片预览
型号: IRFR3303
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 297 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U3303
1400
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
1200
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
= 0V,
F = 1MHz的
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
= C
gd
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 18A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
16
C,电容(pF )
1000
800
西塞
科斯
12
600
8
400
200
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
5
10
15
测试电路
见图13
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
100
I
D
,漏电流( A)
100
10us
10
100us
10
1ms
1
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
10ms
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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