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    IRFR024N 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR024N图片预览
    型号： IRFR024N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 364 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFR024N的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR/U024N
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    55
    –––
    –––
    2.0
    4.5
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.052
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    4.9
    34
    19
    27
    4.5
    7.5
    370
    140
    65
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    0.075
    Ω
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 10A
    „
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 10A†
    25
    V
    DS
    = 55V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 44V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    20
    I
    D
    = 10A
    5.3
    NC V
    DS
    = 44V
    7.6
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    „†
    –––
    V
    DD
    = 28V
    –––
    I
    D
    = 10A
    ns
    –––
    R
    G
    = 24Ω
    –––
    R
    D
    = 2.6Ω ，参照图10
    „
    铅之间，
    –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    G
    从包
    –––
    与模具接触中心？
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = 25V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    D
    S
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    D
    MOSFET符号
    ––– ––– 17
    …
    展示
    A
    G
    整体反转
    68
    ––– –––
    S
    p-n结二极管。
    ––– ––– 1.3
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 10A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 56
    83
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 10A
    ––– 120 180
    NC的di / dt = 100A / μs的
    „†
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    ‚
    V
    DD
    = 25V ，起始物为
    J
    = 25℃时，L = 1.0mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 10A 。 （参见图12）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    图10A中， di / dt的
    ≤
    280A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    175°C
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    这个被施加用于I -PAK ，L-
    S
    的D- PAK时之间测量
    铅和模具联络中心。
    †
    使用IRFZ24N数据和试验条件。
    2 / 10
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