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    IRF9530NSL 参数 Datasheet PDF下载

    IRF9530NSL图片预览
    型号： IRF9530NSL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 330 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF9530NS/L
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    静态漏 - 源极导通电阻
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    g
    fs
    正向跨导
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    -100
    –––
    –––
    -2.0
    3.2
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    -0.11
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    15
    58
    45
    46
    7.5
    760
    260
    170
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = -1mA ？
    0.20
    Ω
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -8.4A
    „
    -4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = -50V ，我
    D
    = -8.4A…
    -25
    V
    DS
    = -100V, V
    GS
    = 0V
    µA
    -250
    V
    DS
    = -80V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    58
    I
    D
    = -8.4A
    8.3
    nC
    V
    DS
    = -80V
    32
    V
    GS
    = -10V ，见图。 6和13
    „…
    –––
    V
    DD
    = -50V
    –––
    I
    D
    = -8.4A
    ns
    –––
    R
    G
    = 9.1Ω
    –––
    R
    D
    = 6.2Ω ，参照图10
    „
    铅之间，
    nH
    –––
    而中心的模具接触
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = -25V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。 5 ？
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    注意事项：
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    …
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    D
    MOSFET符号
    ––– ––– -14
    展示
    A
    G
    整体反转
    ––– ––– -56
    p-n结二极管。
    S
    ––– ––– -1.6
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = -8.4A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 130 190
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = -8.4A
    ––– 650 970
    nC
    的di / dt = -100A / μs的
    „…
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    使用IRF9530N数据和测试条件
    ‚
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 7.0mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = -8.4A 。 （参见图12）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    -8.4A ， di / dt的
    ≤
    -490A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    175°C
    2 / 10
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