AOTF6N90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOTF6N90
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内容描述：	900V ，6A N沟道MOSFET [900V,6A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 364 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOTF6N90

900V ，6A N沟道MOSFET

概述

该AOTF6N90使用，旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造

在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

沿

雪崩能力保证这部分可以迅速地采用到新的和现有的离线电源

设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

1000V@150℃

< 2.2Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

AOTF6N90

900

±30

3.9*

3.3

160

0.4

-55到150

300

AOTF6N90

2.5

单位

V / ns的

单位

C / W

=25°

=100°

重复性雪崩能量

单plused雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

dv / dt的

=25°

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

符号

A，D

最大结点到环境

θJA

最大结到外壳

θJC

*漏电流受最高结温。

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