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AOTF450L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AOTF450L
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内容描述: 200V , 5.8A N沟道MOSFET [200V, 5.8A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 511 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOTF450L
200V , 5.8A N沟道MOSFET
概述
该AOTF450L使用,其被设计以提供高的先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费,电信,工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
250V@150℃
5.8A
< 0.7Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
最大
200
±30
5.8*
4.1*
12
1.9
54
108
5
27
0.18
-55至175
300
最大
65
5.6
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
T
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
T
L
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
符号
A,D
最大结点到环境
R
θJA
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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