AOTF4185
40V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
120
-4.5V
100
80
I
D
(A)
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
20
V
GS
= -4.5V
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
= -10V
I
D
= -20A
-3.5V
-10V
-4V
I
D
(A)
80
100
V
DS
= -5V
60
40
125°C
20
V
GS
= -3V
0
1.5
25°C
3
3.5
4
4.5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
2
2.5
5
18
R
DS （ ON）
(mΩ)
Ω
1.6
16
1.4
V
GS
= -4.5V
I
D
= -15A
14
V
GS
= -10V
1.2
12
1.0
10
0
5
10
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
15
20
25
30
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
35
I
D
= -20A
30
R
DS （ ON）
(mΩ)
Ω
25
125°C
1E+02
1E+01
1E+00
-I
S
(A)
1E-01
125°C
20
1E-02
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-03
25°C
15
25°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
10
1E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- V （伏特）
GS
图5 ：导通电阻与栅源电压
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3/6
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