AOT8N80/AOTF8N80
800V ， 7.4A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOT8N80 & AOTF8N80已经制造
旨在提供流行的AC- DC applications.By提供高水平的性能和健壮性
低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的和
现有的离线功率电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
900V@150℃
7.4A
< 1.63Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOT8N80
800
±30
7.4
4.6
26
3.8
217
433
5
245
2.0
-55到150
300
AOT8N80
65
0.5
0.51
AOTF8N80
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
7.4*
4.6*
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
AOTF8N80
65
--
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
50
0.4
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
