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AOT8N60 参数 Datasheet PDF下载

AOT8N60图片预览
型号: AOT8N60
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内容描述: 600V , 8A N沟道MOSFET [600V,8A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 524 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOT8N60/AOTF8N60
600V , 8A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=480V
I
D
=8A
1000
电容(pF)
V
GS
(伏)
9
C
OSS
100
10000
C
国际空间站
12
6
10
3
C
RSS
1
0
20
30
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
40
0.1
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
1
100
0
100
10µs
10
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
100µs
100
10
I
D
(安培)
1ms
1
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°
C
T
C
=25°
C
10ms
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1ms
10ms
0.1s
1s
1
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
DC
0.01
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
对于AOT8N60 (注F)工作区
100
1000
0.01
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
图10 :最大正向偏置安全工作
对于AOTF8N60区(注F)
10
8
额定电流我
D
(A)
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C)
图11 :电流降评级(注二)
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