AOT3N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT3N60
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内容描述：	600V ， 2.5A N沟道MOSFET [600V,2.5A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 365 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOT3N60

600V ， 2.5A N沟道MOSFET

概述

使用被设计用于提供先进的高电压MOSFET工艺的AOT3N60已经制造

高水平的流行AC-DC applications.By性能和鲁棒性提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

700V@150℃

2.5A

<3.5Ω

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

600

±30

2.5

1.9

120

0.7

-55到150

300

典型

1.2

最大

0.5

1.5

单位

V / ns的

°C

单位

° C / W

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

θJC

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

最大外壳到散热器

最大结到外壳

1/5

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