欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AOT20N25 参数 Datasheet PDF下载

AOT20N25图片预览
型号: AOT20N25
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 250V , 20A N沟道MOSFET [250V,20A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 353 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AOT20N25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOT20N25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOT20N25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOT20N25的Datasheet PDF文件第5页  
AOT20N25
250V , 20A N沟道MOSFET
概述
该AOT20N25使用,旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费,电信,工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
300V@150℃
20A
< 0.17Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
G
C
AOT20N25
250
±30
20
14
51
4.5
608
5
208
1.7
-55到150
300
AOT20N25
65
0.5
0.6
单位
V
V
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
C
T
C
=25°
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
1/5
www.freescale.net.cn