AOT12N30/AOTF12N30
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
概述
该AOT12N30 / AOTF12N30使用，其设计先进的高电压MOSFET工艺制造
提供高水平的性能和鲁棒性流行AC- DC applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这部分可以迅速地采用到新的和现有的离线
电源designs.These部分是理想的升压转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
350V@150℃
11.5A
< 0.42Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT12N30
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
G
C
AOTF12N30
300
±30
11.5*
7.3*
29
3.8
430
5
单位
V
V
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
AOT12N30
65
0.5
0.95
132
1
11.5
7.3
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
36
0.3
-55到150
300
AOTF12N30
65
--
3.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
