AON7418
30V N通道AlphaMOS
概述
•最新的沟槽功率AlphaMOS （
α
MOS LV ）技术•极低的RDS（on ），在4.5V
GS
•低栅极电荷•高电流能力• RoHS和无卤素标准
应用
al
•在计算机，服务器， DC / DC转换器和POL •隔离在电信和您的行业DC / DC转换器
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
50A
< 1.7mΩ
< 2.8mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
G
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
50
39
200
46
37
66
109
36
83
33
6.2
4
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
A
mJ
V
W
W
°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16
45
1.1
最大
20
55
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
