AON7408
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
64
15.3
23.3
22.7
17
0.75
1
3.8
373
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
67
41
1.8
7.1
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=10A
1.2
1.6
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
2.8
15.8
3
10.5
4.5
12.6
2.8
8.6
448
20
30
32
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
mΩ
2.1
民
30
1
5
±100
2.6
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是
基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用t
≤
10秒结到环境的热阻。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
Rev5 ：五月， 2012
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