AON7401
30V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -6V ，我
D
=-7A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-9A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.7
-80
11
16
12.9
27
-0.7
-1
-25
2060
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
370
295
2.4
30
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-9A
4.6
10
11
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.6Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -9A ，的di / dt = 500A / μs的
9.4
24
12
14
35
18
3.6
39
2600
14
19
17
-2.2
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -9A ，的di / dt = 500A / μs的
答RqJA的值被测量与安装在1平方英寸FR-4板用2盎司的设备。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。该
功耗电力需求侧管理是基于R qJA吨
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定板的设计，并且可以使用150℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复等级，脉冲宽度有限的结温TJ（MAX） = 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
最初的TJ = 25°C 。
D.该RqJA是从结到外壳RqJC和案例的热阻抗到环境的总和。
E.图的静态特性1 〜6使用<300ms脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
TJ（MAX） = 150 ℃的最大结温。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1平方英寸FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
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