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    AON6452 参数 Datasheet PDF下载

    AON6452图片预览
    型号： AON6452
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 454 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AON6452的Datasheet PDF文件第7页  
    AON6452
    100V N沟道MOSFET
    典型的电气和热特性
    300
    di/dt=800A/µs
    250
    200
    I
    rm
    150
    100
    Q
    rr
    50
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    25ºC
    0
    125ºC
    125ºC
    15
    12
    9
    6
    3
    24
    125ºC
    20
    16
    Q
    rr
    （ NC ）
    25ºC
    t
    rr
    （纳秒）
    I
    rm
    (A)
    di/dt=800A/µs
    1.6
    1.2
    0.8
    8
    S
    4
    0
    0
    5
    10
    15
    25ºC
    20
    25
    30
    125ºC
    0.4
    0
    2
    I
    S
    (A)
    -RoHS标准
    图17 ：二极管的反向恢复电荷和峰值
    卤素免费
    电流与传导电流
    150
    I
    s
    =20A
    120
    90
    60
    30
    I
    rm
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    Q
    rr
    125ºC
    30
    26
    22
    18
    14
    125ºC
    25ºC
    10
    6
    2
    -2
    1000
    的di / dt （ A / μS ）
    µ
    图19 ：二极管的反向恢复电荷和峰值
    电流与di / dt的
    5
    0
    0
    I
    rm
    (A)
    25ºC
    20
    t
    rr
    （纳秒）
    30
    I
    S
    (A)
    图18 ：二极管的反向恢复时间和
    软化系数与传导电流
    5
    I
    s
    =20A
    25
    125ºC
    4.5
    4
    3.5
    25ºC
    t
    rr
    3
    2
    125ºC
    25ºC
    S
    200
    400
    600
    800
    1.5
    1
    0.5
    0
    1000
    的di / dt （ A / μS ）
    µ
    图20 ：二极管的反向恢复时间和
    软化系数主场迎战di / dt的
    S
    2.5
    Q
    rr
    （ NC ）
    15
    10
    6/7
    www.freescale.net.cn
    S
    12
    t
    rr
    25ºC

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