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    AON6411 参数 Datasheet PDF下载

    AON6411图片预览
    型号： AON6411
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20V P沟道MOSFET [20V P-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 302 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AON6411的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON6411的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON6411的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AON6411的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AON6411的Datasheet PDF文件第6页  
    AON6411
    20V P沟道MOSFET
    概述
    该AON6411结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
    非常低R
    DS （ ON）
    。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
    特点
    V
    DS
    I
    D
    （在V
    GS
    = -10V)
    R
    DS （ ON）
    （在V
    GS
    = -10V)
    R
    DS （ ON）
    （在V
    GS
    =-4.5V)
    R
    DS （ ON）
    （在V
    GS
    =-2.5V)
    -20
    -85A
    < 2.1mΩ
    < 2.5mΩ
    < 3.6mΩ
    D
    顶视图
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    G
    S
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    C
    参数
    符号
    漏源电压
    V
    DS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    G
    漏电流脉冲
    连续漏极
    当前
    雪崩电流
    C
    雪崩能量L = 0.1mH
    T
    C
    =25°
    C
    功耗
    B
    T
    C
    =100°
    C
    功耗
    A
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    C
    C
    最大
    -20
    ±12
    -85
    -67
    -340
    -47
    -38
    70
    245
    156
    62.5
    7.3
    4.7
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    C
    =25°
    C
    T
    C
    =100°
    C
    T
    A
    =25°
    C
    C
    T
    A
    =70°
    I
    D
    I
    DM
    I
    帝斯曼
    I
    AS
    E
    AS
    P
    D
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    A
    A
    mJ
    W
    W
    °
    C
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A D
    最大结到外壳
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJC
    典型值
    14
    40
    0.6
    最大
    17
    55
    0.8
    单位
    °
    C / W
    °
    C / W
    °
    C / W
    1/6
    www.freescale.net.cn

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