AON5802B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5802B
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 711 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AON5802B

常见的漏双N沟道增强

型场效应晶体管

典型的电气和热特性

=15V

=7A

1200

电容（pF）

国际空间站

（伏）

1600

800

400

RSS

OSS

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

V（伏特）

图8 ：电容特性

100.0

200

10.0

（安培）

10µs

功率（W）的

100µs

160

J（下最大）

=150°

=25°

120

1.0

DS （ ON）

有限

J（下最大）

=150°

=25°

0.1

1ms

10ms

0.1s

10s

（伏）

100

0.0

0.01

0.1

1E-04 0.001

0.01

0.1

100

1000

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注五）

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

案例（注五）

归一化瞬时

热阻

D =吨

Ĵ ，PK

θJA

=75°

C / W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.1

100

1000

0.0001

0.001

0.01

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗

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