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AON4805L 参数 Datasheet PDF下载

AON4805L图片预览
型号: AON4805L
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 404 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON4805L
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.5A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-4.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-25
53
72
66
88
15
-0.7
-1
-1.7
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-4.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.2Ω,
R
=6Ω
I
F
= -4.5A ,的di / dt = 100A / μs的
36
53
56
37
27
45
23
10
670
65
90
85
115
-0.67
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C:评级是基于低频率和占空比,以保持initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
12
2
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的FR- 4电路板与元件的结到环境的热阻抗
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV0 : 2008年7月
2/5
www.freescale.net.cn