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型号: AON4421
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 589 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON4421
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AON4421采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
-30V
-8A
< 26mΩ
< 34mΩ
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部视图
D
D
D
G
D
D
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
最大
-30
±20
-8
-6
-60
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
42
74
25
最大
50
90
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/5
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