欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AON2800 参数 Datasheet PDF下载

AON2800图片预览
型号: AON2800
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 20V双N沟道MOSFET [20V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 303 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AON2800的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AON2800的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AON2800的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AON2800的Datasheet PDF文件第5页  
AON2800
20V双N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
4.5
4
3.5
3
V
GS
(伏)
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
0
0
电容(pF)
400
300
200
C
OSS
100
C
RSS
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
C
国际空间站
V
DS
=10V
I
D
=4A
600
500
100.0
10000
T
A
=25°C
10.0
10µs
功率(W)的
100
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
1000
100µs
1ms
10ms
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
100
1.0
0.1
10
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
1
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.001
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=85°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
4/5
www.freescale.net.cn