AOL1700
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1.2
200
3.4
5.2
4.8
90
0.36
0.5
85
3760
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
682
314
0.75
62
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
29
12
12
9.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
8.5
34
9
18
22
27
1.5
74
35
4512
4.2
6.5
6.0
1.5
民
30
0.1
20
0.1
2.2
典型值
最大
单位
V
mA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管+肖特基二极管连续电流
H
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
1至6使用的是得到的图E的静特性<300我们脉冲，占空比0.5％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色（ 6月1日
ST
2008)
REV3 ： 2008年12月
2/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
